AE801／エレメントの測定範囲

負荷（P）／撓み（δ）は、シリコンビームの最大ひずみ（εmax＝1000 μstrain）まで次式で計算することができますが、測定範囲としては最大負荷（Pmax）／最大撓み（δmax）以内でご使用下さい。

δ＝P*L^3/E*I＝(2/3)*εmax*L^2/h

E：シリコンビームの縦弾性係数
I：断面２次モーメント
εmax：シリコンビームへの最大ひずみ
L：ビーム固定部からの距離

測定範囲（ビームの先端に負荷が加わった場合）
Pmax ：12 gr (約118 mN)
δmax：0.1 mm
※Pmax／δmaxにおけるホイートストンブリッジを介した出力は約25 mV/Vが得られます。

AE801／エレメントの測定機器

AE801／エレメントはホイートストンブリッジを介した出力は約25mV/Vが得られますので、オシロスコープやデジタルボルトメータにて直接読取りは可能ですが、"ｖ単位"で出力を得たい場合はアンプで増幅する必要があります。以下に簡単なアンプの回路図を掲げますのでご参考にしてください。なお、当社製のＤＣストレインアンプ／5693も利用可能です。

アンプ回路図（参考）　※本回路に関するお問い合わせはご容赦下さい。

＜回路例−１＞
一番簡単な方法は計装アンプ回路を用いる方法で図１に示します。この回路ではAE801と固定抵抗でブリッジ回路を構成し、５Ｖの印加電圧を加えその出力を工業標準のオペアンプで構成した計装アンプで受けています。

＜回路例−２＞
図２の回路は図１の回路をバーブラウン社の計装用アンプに置きかえたものです。現在、計装アンプICはアナログディバイセス社、リニアテクノロジー社等からも出されていますのでそれらを用いることも出来ます。

＜回路例−３＞
図３の回路はAE801に正負の同じ電圧を加え、その出力をA2のオペアンプで増幅しています。 A1はセンサー用の負電圧を発生させ、A3はA2 のアンプ用にゼロ点調整用の電圧を作っています。